Опция DRAM RAS# Activate to Precharge определяет количество тактов между обращением к оперативной памяти и началом регенерации. Снижение значения опции повышает быстродействие.
Auto (или By SPD) – автоматическое определение количества тактов, исходя из информации о режимах работы ОЗУ из микросхемы SPD;
9 DRAM Clocks; 10 DRAM Clocks; 11 DRAM Clocks; 12 DRAM Clocks; 13 DRAM Clocks; 14 DRAM Clocks; 15 DRAM Clocks;… – количество тактов между обращением к памяти и началом регенерации.
Опция также может иметь другие названия:
(Tras) Minimum RAS active Time
Act to Precharge Delay
Active to Precharge (Tras)
Active to Precharge Delay
DRAM Precharge Delay
DRAM RAS# Activate to Precharge Delay
DRAM Timing tRAS
DRAM tRAS Select
DRAM Tras Timing Value
Min RAS# Active Time
Min RAS# Active Time (Tras)
Precharge Delay
Precharge Delay (tRAS)
RAM RAS Act. to Pre.
RAS Pulse Width
SDRAM Active to Precharge Time
SDRAM RAS Act. To Pre.
SDRAM Tras Timing Value
T (RAS)
TRAS
tRAS
Примечание 1. Оперативная память (Random Access Memory, RAM, системная память) – это энергозависимая компьютерная память, которая предназначена для временного хранения активных программ и данных, используемых процессором во время выполнения операций.
Примечание 2. Микросхема SPD – это специальная микросхема, в которой хранятся данные о параметрах модуля оперативной памяти (ёмкость, тип, временные характеристики, рабочее напряжение, число банков, серийный номер модуля, дату изготовления модуля). Во время включения компьютера BIOS настраивает параметры работы системной памяти, согласно информации, отображенной в микросхеме SPD.
Примечание 3. Регенерация – процесс восстановление заряда ячеек динамической памяти.
Сегодня мы поговорим о наиболее точном определении таймингов и подтаймингов. Большинство статей в сети обладают ошибками и неточностями, а в очень достойных материалах не всегда рассмотрены все тайминги. Мы же постараемся восполнить этот пробел и дать как можно полную характеристику тем или иным временным задержкам.
Структура памяти напоминает таблицу, где сначала выбирают строку, а затем столбец. Эта таблица разбита на банки, для памяти плотностью меньше 64Мбит (SDRAM) количеством 2 штуки, выше — 4 (стандартно). Спецификация память DDR2 SDRAM с чипами плотностью 1Гбит предусматривает уже 8 банков. На открытие строки в используемом банке уходит больше времени, нежели в другом (т.к. используемую строку нужно сначала закрыть). Очевидно, что лучше новую строку открывать в новом банке (на этом основан принцип чередования строк).
Обычно на памяти (или в спецификации к ней) есть надпись вида 3-4-4-8 или 5-5-5-15. Это сокращенная запись (так называемая схема таймингов) основных таймингов памяти. Что же такое тайминги? Очевидно, что ни одно устройство не может работать с бесконечной скоростью. Значит, на выполнение любой операции уходит какое-либо время. Тайминги — это задержка, устанавливающая время, необходимое на выполнение какой-либо команды, то есть время от отправки команды до ее выполнения. А каждая цифра обозначает какое именно время необходимо.
Теперь разберем каждый по очереди. Схема таймингов включает в себя задержки CL-Trcd-Trp-Tras соответственно. Для работы с памятью необходимо для начала выбрать чип, с которым мы будем работать. Делается это командой CS# (Chip Select). Затем выбирается банк и строка. Перед началом работы с любой строкой необходимо ее активировать. Делается это командой выбора строки RAS# (при выборе строки она активируется). Затем (при операции линейного чтения) нужно выбрать столбец командой CAS# (эта же команда инициирует чтение). Затем считать данные и закрыть строку, совершив предварительный заряд (precharge) банка.
Тайминги расположены по порядку следования в простейшем запросе (для простоты понимания). Сначала идут тайминги, затем подтайминги.
Trcd, RAS to CAS delay — время, необходимое для активизации строки банка, или минимальное время между подачей сигнала на выбор строки (RAS#) и сигнала на выбор столбца (CAS#).
CL, Cas Latency — минимальное время между подачей команды на чтение (CAS) и началом передачи данных (задержка чтения).
Tras, Active to Precharge — минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени.
Trp, Row Precharge — время, необходимое для предварительного заряда банка (precharge). Иными словами, минимальное время закрытия строки, после чего можно активировать новую строку банка.
CR, Command Rate 1/2T — Время, необходимое для декодирования контроллером команд и адресов. Иначе, минимальное время между подачей двух команд. При значении 1T команда распознается 1 такт, при 2T — 2 такта, 3T — 3 такта (пока только на RD600).
Это все основные тайминги. Остальные тайминги имеют меньшее влияние на производительность, а потому их называют подтаймингами.
Trc , Row Cycle Time, Activate to Activate/Refresh Time, Active to Active/Auto Refresh Time — минимальное время между активацией строк одного банка. Является комбинацией таймингов Tras+Trp — минимального времени активности строки и времени ее закрытия (после чего можно открывать новую).
Trfc , Row Refresh Cycle Time, Auto Refresh Row Cycle Time, Refresh to Activate/Refresh Command Period — минимальное время между командой на обновление строки и командой активизации, либо другой командой обновления.
Trrd , ACTIVE bank A to ACTIVE bank B command, RAS to RAS Delay, Row Active to Row Active — минимальное время между активацией строк разных банков. Архитектурно открывать строку в другом банке можно сразу за открытием строки в первом банке. Ограничение же чисто электрическое — на активацию уходит много энергии, а потому при частых активациях строк очень высока электрическая нагрузка на цепи. Чтобы ее снизить, была введена данная задержка. Используется для реализации функции чередования доступа к памяти (interleaving).
Tccd , CAS to CAS Delay — минимальное время между двумя командами CAS#.
Twr , Write Recovery, Write to Precharge — минимальное время между окончанием операции записи и подачей команды на предзаряд (Precharge) строки для одного банка.
Twtr , Trd_wr, Write To Read — минимальное время между окончанием записи и подачей команды на чтение (CAS#) в одном ранке.
RTW , Read To Write, (Same) Rank Read To Write — минимальное время между окончанием операции чтения и подачей команды на запись, в одном ранке.
Same Rank Write To Write Delayed — минимальное время между двумя командами на запись в одном ранке.
Different Rank Write to Write Delay — минимальное время между двумя командами на запись в разных ранках.
Twr_rd , Different Ranks Write To READ Delayed — минимальное время между окончанием записи и подачей команды на чтение (CAS#) в разных ранках.
Same Rank Read To Read Delayed — минимальная задержка между двумя командами на чтение в одном ранке.
Trd_rd , Different Ranks Read To Read Delayed — минимальная задержка между двумя командами на чтение в разных ранках.
Trtp , Read to Precharge — минимальный интервал между подачей команды на чтение до команды на предварительный заряд.
Precharge to Precharge — минимальное время между двумя командами предварительного заряда.
Tpall_rp , Precharge All to Active Delay — задержка между командой Precharge All и командой на активацию строки.
Same Rank PALL to REF Delayed — устанавливает минимальное время между командой Precharge All и Refresh в одном ранке.
Different Rank REF to REF Delayed — устанавливает минимальную задержку между двумя командами на обновление (refresh) в разных ранках.
Twcl , Write Latency — задержка между подачей команды на запись и сигналом DQS. Аналог CL, но для записи.
Tdal , цитата из JEDEC 79-2C, p.74: auto precharge write recovery + precharge time (Twr+Trp).
Trcd_rd/Trcd_wr , Activate to Read/Write, RAS to CAS Read/Write Delay, RAW Address to Column Address for Read/Write — сочетание двух таймингов — Trcd (RAS to CAS) и rd/wr command delay. Именно последним и объясняется существование разных Trcd — для записи и чтения (Nf2) и установки BIOS — Fast Ras to Cas.
Tck , Clock Cycle Time — период одного такта. Именно он и определяет частоту памяти. Считается она следующим образом: 1000/Tck=X Mhz (реальная частота).
CS , Chip Select — время, необходимое на выполнения команды, подаваемой сигналом CS# для выбора нужного чипа памяти.
Tac , DQ output access time from CK — время от фронта такта до выдачи данных модулем.
Address and Command Setup Time Before Clock — время, на которое передача установок адресов команд будет предшествовать восходящему фронту такта.
Address and Command Hold Time After Clock — время, на которое будут "заперты" установки адреса и команд после нисходящего фронта такта.
Data Input Setup Time Before Clock, Data Input Hold Time After Clock — то же, что и вышеуказанные, но для данных.
Tck max , SDRAM Device Maximum Cycle Time — максимальный период цикла устройства.
Tdqsq max , DDR SDRAM Device DQS-DQ Skew for DQS and associated DQ signals — максимальный сдвиг между стробом DQS и связанными с ним сигналами данных.
Tqhs , DDR SDRAM Device Read Data Hold Skew Factor — максимальный сдвиг "запирания" считанных данных.
Tch, Tcl , CK high/low pulse width — длительность высокого/низкого уровня тактовой частоты CK.
Thp , CK half pulse width — длительность полупериода тактовой частоты CK.
Max Async Latency — максимальное время асинхронной задержки. Параметр управляет длительностью асинхронной задержки, зависящей от времени, необходимого для передачи сигнала от контроллера памяти до самого дальнего модуля памяти и обратно. Опция существует в процессорах компании AMD (Athlon/Opteron).
DRAM Read Latch Delay — задержка, устанавливающая время, необходимое для "запирания" (однозначного распознавания) конкретного устройства. Актуально при повышении нагрузки (числа устройств) на контроллер памяти.
Trpre , Read preamble — время, в течение которого контроллер памяти откладывает активацию приема данных перед чтением, во избежание повреждения данных.
Trpst, Twpre, Twpst , Write preamble, read postamble, write postamble — то же для записи и после приема данных.
Read/write Queue Bypass — определяет число раз, которое самый ранний запрос в очереди может быть обойден контроллером памяти, прежде чем быть выполненным.
Bypass Max — определяет, сколько раз самая ранняя запись в DCQ может быть обойдена, прежде чем выбор арбитра будет аннулирован. При установке в 0 выбор арбитра всегда учитывается.
SDRAM MA Wait State , Read Wait State — установка 0-2-тактного опережения адресной информации перед подачей сигнала CS#.
Turn-Around Insertion — задержка между циклами. Добавляет задержку в такт между двумя последовательными операциями чтения/записи.
DRAM R/W Leadoff Timing , rd/wr command delay — задержка перед выполнением команды чтения/записи. Обычно составляет 8/7 или 7/5 тактов соответственно. Время от подачи команды до активации банка.
Speculative Leadoff , SDRAM Speculative Read — Обычно в память поступает сначала адрес, затем команда на чтение. Поскольку на расшифровку адреса уходит относительно много времени, можно применить упреждающий старт, подав адрес и команду подряд, без задержки, что повысит эффективность использования шины и снизит простои.
Twtr Same Bank , Write to Read Turnaround Time for Same Bank — время между прекращением операции записи и подачей команды на чтение в одном банке.
Tfaw , Four Active Windows — минимальное время активности четырех окон (активных строк). Применяется в восьмибанковых устройствах.
Strobe Latency . Задержка при посылке строб-импульса (селекторного импульса).
Memory Refresh Rate . Частота обновления памяти.
Надеемся, что представленная нами информация поможет вам разобраться в обозначении таймингов памяти, насколько они важны и за какие параметры они отвечают.
Латентность (в т.ч. англ. CAS Latency, CL ; жарг. тайминг) — временна́я задержка сигнала при работе динамической оперативной памяти со страничной организацией, в частности, SDRAM. Эти временны́е задержки также называют таймингами и для краткости записывают в виде трех чисел, по порядку: CAS Latency, RAS to CAS Delay и RAS Precharge Time. От них в значительной степени зависит пропускная способность участка «процессор-память» и задержки чтения данных из памяти и, как следствие, быстродействие системы.
Мера таймингов — такт шины [ какой? ] памяти. Таким образом, каждая цифра в формуле 2-2-2 означает задержку сигнала для обработки, измеряемая в тактах шины памяти. Если указывается только одна цифра (например, CL2), то подразумевается только первый параметр, то есть CAS Latency.
Иногда формула таймингов для памяти может состоять из четырёх цифр, например 2-2-2-6. Последний параметр называется «DRAM Cycle Time Tras/Trc» и характеризует быстродействие всей микросхемы памяти. Он определяет отношение интервала, в течение которого строка открыта для переноса данных (tRAS — RAS Active time), к периоду, в течение которого завершается полный цикл открытия и обновления ряда (tRC — Row Cycle time), также называемого циклом банка (Bank Cycle Time).
Производители обычно снабжают свои чипы, на основе которых построена планка памяти, информацией о рекомендуемых значениях таймингов, для наиболее распространенных частот системной шины. На планке памяти информация хранится в чипе SPD (англ.) русск. и доступна чипсету. Просмотреть эту информацию можно программным образом, например, программой CPU-Z.
С точки зрения пользователя, информация о таймингах позволяет примерно оценить производительность оперативной памяти, до её покупки. Таймингам памяти поколений DDR и DDR2 придавалось большое значение, поскольку кэш процессора был относительно мал и программы часто обращались к памяти. Таймингам памяти поколения DDR3 уделяется меньше внимания, поскольку современные процессоры (например AMD Bulldozer, Trinity и Intel Core i5, i7) имеют сравнительно большие L2-кэши и снабжены огромным L3-кэшем, что позволяет этим процессорам гораздо реже обращаться к памяти, а в некоторых случаях программа и её данные целиком помещается в кэш процессора (см. Иерархия памяти).
Содержание
Тайминги [ править | править код ]
| Имя параметра | Обозначение | Определение |
|---|---|---|
| CAS-латентность | CL | Задержка между отправкой в память адреса столбца и началом передачи данных. Время, требуемое на чтение первого бита из памяти, когда нужная строка уже открыта. |
| Row Address to Column Address Delay | TRCD | Число тактов между открытием строки и доступом к столбцам в ней. Время, требуемое на чтение первого бита из памяти без активной строки — TRCD + CL. |
| Row Precharge Time | TRP | Число тактов между командой на предварительный заряд банка (закрытие строки) и открытием следующей строки. Время, требуемое на чтение первого бита из памяти, когда активна другая строка — TRP + TRCD + CL. |
| Row Active Time | TRAS | Число тактов между командой на открытие банка и командой на предварительный заряд. Время на обновление строки. Накладывается на TRCD. Обычно примерно равно сумме трёх предыдущих чисел. |
Примечания:
|
||
CAS-латентность [ править | править код ]
CAS-латентность (от англ. column address strobe latency , CAS latency , CL , CAS-задержка) — это период ожидания (выраженный в количестве циклов тактовой частоты шины памяти) между запросом процессора на получение содержимого ячейки памяти и временем, когда оперативная память сделает доступной для чтения первую ячейку запрошенного адреса [ уточнить ] .
Модули памяти SDR SDRAM могут иметь задержку CAS, равную 1, 2 или 3 циклам. Модули DDR SDRAM могут иметь задержку CAS, равную 2 или 2.5.
На модулях памяти обозначается как CAS или CL. Пометка CAS2, CAS-2, CAS=2, CL2, CL-2 или CL=2 обозначает величину задержки, равную 2.
